大家好，今天小编来为大家解答ddr2内存条最大容量这个问题，ddr2和ddr3区别很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

一、ddr2分为几种

DDR2内存实际进入市场的不同频率产品共有4种，分别是DDR2400，DDR2533，DDR2667，DDR2800。通过超频，还有厂商提供DDR21066的内存产品。

二、ddr2和ddr3区别

1、功耗和发热量：DDR3吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量。

2、工作频率：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点。

3、显卡成本：DDR2的显存颗粒，搭配中高端显卡常用的128MB显存，需要8颗。而DDR3的显颗粒容量较大，构成128MB显存只需要4颗，显卡PCB面积可减小，成本得到有效控制。

4、通用性：DDR3比DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡，稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。

三、ddr3和ddr2怎么区分

一、DDR2与DDR3内存的特性区别：

DDR2SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，BurstLength)也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bitBurstChop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。

就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。

二、与DDR2相比DDR3具有的优点(桌上型unbufferedDIMM)：

1.速度更快：prefetchbuffer宽度从4bit提升到8bit，核心同频率下数据传输量将会是DDR2的两倍。

2.更省电：DDR3Module电压从DDR2的1.8V降低到1.5V，同频率下比DDR2更省电，搭配SRT(Self-RefreshTemperature)功能，内部增加温度senser，可依温度动态控制更新率(RASR，PartialArraySelf-Refresh功能)，达到省电目的。

3.容量更大：更多的Bank数量，依照JEDEC标准，DDR2应可出到单位元元4Gb的容量(亦即单条模块可到8GB)，但目前许多DRAM厂商的规划，DDR2生产可能会跳过这个4Gb单位元元容量，也就是说届时单条DDR2的DRAM模块，容量最大可能只会到4GB。而DDR3模块容量将从1GB起跳，目前规划单条模块到16GB也没问题(注意：这里指的是零售组装市场专用的unbufferedDIMM而言，server用的FB与Registered不在此限)。

四、ddr2内存条有什么用

1、DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍与DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHz限制。

2、DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好地工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚酒会产生很高的阻抗和寄生电阻，这会影响它的稳定性和频率提升。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHz的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装形式提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

五、ddr2内存条含金量

ddr2的内存条含金量非常少，Ddr2内存它在金手指和芯片的触点上镀有一层金，主要要是为了防止他们在触电氧化以后产生接触不良的问题，但是由于金的超级柔软性，所以它能做得非常的薄，而且能够比较紧密的附着在其他金属上。因此，ddr2内存条的含金量非常的少。

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